ZXM61N03FTA | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 30 V, 1.4 A, TO-236, ZXM61N03FTA
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MOSFET, ZXM61N03FTA, Diodes
Diese neue Generation von High-Density-MOSFETs nutzt eine einzigartige Struktur, die die Vorteile eines niedrigen Durchlasswiderstands mit einer hohen Schaltgeschwindigkeit kombiniert. Dies macht sie ideal für hocheffiziente Niederspannungs-Power-Management-Anwendungen.
Features
- Niedriger Ein-Widerstand
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Niedrige Schwelle
- Niedrige Gate-Ansteuerung
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 4.1x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Strom | 1.4 A | |
| Montage | SMD | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 220 mΩ | |
| max. Spannung | 30 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | TO-236 | |
| Verlustleistung W (DC) | 806 mW |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |