ZVN2106GTA | Diodes
Diodes N-Kanal Vertical DMOS FET, 60 V, 710 mA, TO-261, ZVN2106GTA
Bestellnr.: 33S2759
EAN: 4099879034472
HTN:
ZVN2106GTA
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MOSFET, ZVN2106GTA, Diodes
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Solenoids / Relay driver for automotive
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 60 V | |
| Verlustleistung W (DC) | 2 W | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2 Ω | |
| Gehäuse | TO-261 | |
| max. Strom | 710 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | DE |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |