DMN65D8L-7 | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 310 mA, TO-236, DMN65D8L-7
Bestellnr.: 33S2414
EAN: 4099879034441
HTN:
DMN65D8L-7
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MOSFET, DMN65D8L-7, Diodes
Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.
Features
- Niedriger Ein-Widerstand
- Niedrige Gate-Schwellenwertspannung
- Niedrige Eingangskapazität
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 3 Ω | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| max. Strom | 310 mA | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 8.7x10<sup>-10</sup> C | |
| Gehäuse | TO-236 | |
| max. Spannung | 60 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |