DMN65D8L-7 | Diodes

Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 310 mA, TO-236, DMN65D8L-7

Bestellnr.: 33S2414
EAN: 4099879034441
HTN:
DMN65D8L-7
DMN65D8L-7 Diodes MOSFETs
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MOSFET, DMN65D8L-7, Diodes

Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet.

Features

  • Niedriger Ein-Widerstand
  • Niedrige Gate-Schwellenwertspannung
  • Niedrige Eingangskapazität
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Technische Daten
Ausführung N-Kanal
Gate Charge Qg @10V (nC) 8.7x10<sup>-10</sup> C
max. Temperatur 150 °C
max. Strom 310 mA
Montage SMD
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 3 Ω
max. Spannung 60 V
min. Temperatur -55 °C
Gehäuse TO-236
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Ursprungsland CN
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja