DMN63D8LDW-7 | Diodes
Diodes N-Kanal Dual MOSFET, 30 V, 220 mA, SOT-363, DMN63D8LDW-7
Bestellnr.: 33S2411
EAN: 4099879034434
HTN:
DMN63D8LDW-7
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,1833 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
MOSFET, DMN63D8LDW-7, Diodes
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.
Features
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Niedrige Eingangskapazität
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage
- Ultrakleines Gehäuse für Oberflächenmontage
Anwendungen
- DC-DC-Wandler
- Funktionen zur Energieverwaltung
- Batteriebetriebene Systeme und Halbleiterrelais
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 30 V | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 2.8 Ω | |
| Gehäuse | SOT-363 | |
| max. Strom | 220 mA | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 8.7x10<sup>-7</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |