DMN3730UFB4-7 | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 30 V, 750 mA, XFDFN-3, DMN3730UFB4-7
Bestellnr.: 33S2334
EAN: 4099879034373
HTN:
DMN3730UFB4-7
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,2856 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
MOSFET, DMN3730UFB4-7, Diodes
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.
Features
- Ultraflaches Gehäuse für dünne Anwendungen
- Niedrige VGS(th), kann direkt von einer Batterie betrieben werden
- Niedriger RDS(ein)
Anwendungen
- Lastschalter
- Tragbare Anwendungen
- Funktionen zur Energieverwaltung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 30 V | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 460 mΩ | |
| Gehäuse | XFDFN-3 | |
| max. Strom | 750 mA | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 1.6x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal |
Download
Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |