DMN1019USN-7 | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 12 V, 9.3 A, TO-236, DMN1019USN-7
Bestellnr.: 33S2154
EAN: 4099879034335
HTN:
DMN1019USN-7
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MOSFET, DMN1019USN-7, Diodes
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.
Features
- Niedriger Einschaltwiderstand
- ESD-geschütztes Tor
Anwendungen
- Lastschalter
- DC-DC-Wandler
- Funktionen zur Energieverwaltung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 12 V | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 10 mΩ | |
| Gehäuse | TO-236 | |
| max. Strom | 9.3 A | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 5.06x10<sup>-8</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |