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BSS138-7-F | Diodes

Diodes N-Kanal N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 50 V, 200 mA, SOT-23, BSS138-7-F

Bestellnr.: 33S2014
HTN:
BSS138-7-F
Diodes
BSS138-7-F Diodes MOSFETs
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Wichtige Spezifikationen:
Ausführung N-Kanal
max. Spannung 50 V
max. Strom 200 mA
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 3.5 Ω
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Produktbeschreibung
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Compliance

N-Kanal-MOSFET mit Anreicherungsmodus, BSS138-7-F, Diodes

Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.

Features

  • Niedriger On-Widerstand
  • Niedrige Gate-Schwellenspannung
  • Niedrige Eingangskapazität
  • Schnelle Schaltgeschwindigkeit
  • Niedrige Eingangs-/Ausgangsleckage
Technische Daten
max. Spannung 50 V
Verlustleistung W (DC) 300 mW
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V 3.5 Ω
Gehäuse SOT-23
max. Strom 200 mA
max. Temperatur 150 °C
Montage SMD
min. Temperatur -55 °C
Ausführung N-Kanal
Produkte gleicher technischer Daten 0
Logistik
Zolltarifnummer 85412100
Originalverpackung Rolle mit 3.000 Stück
Compliance
RoHS konform Ja
SVHC frei Ja