BSS138-7-F | Diodes
Diodes N-Kanal N-Channel Enhancement Mode MOSFET, 50 V, 200 mA, SOT-23, BSS138-7-F
Bestellnr.: 33S2014
HTN:
BSS138-7-F
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N-Kanal-MOSFET mit Anreicherungsmodus, BSS138-7-F, Diodes
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.
Features
- Niedriger On-Widerstand
- Niedrige Gate-Schwellenspannung
- Niedrige Eingangskapazität
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Niedrige Eingangs-/Ausgangsleckage
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 3.5 Ω | |
| max. Spannung | 50 V | |
| Verlustleistung W (DC) | 300 mW | |
| max. Strom | 200 mA |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412100 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |