BSN20-7 | Diodes
Diodes N-Kanal MOSFET, 50 V, 500 mA, TO-236, BSN20-7
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0,2570 € *
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MOSFET, BSN20-7, Diodes
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.
Features
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Niedrige Eingangskapazität
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage
Anwendungen
- Hintergrundbeleuchtung
- DC-DC-Wandler
- Funktionen zur Energieverwaltung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 50 V | |
| Verlustleistung W (DC) | 920 mW | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 1.8 Ω | |
| Gehäuse | TO-236 | |
| max. Strom | 500 mA | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 8x10<sup>-10</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |