BS170FTA | Diodes
Diodes N-Kanal Vertical DMOS FET, 60 V, 0.15 mA, TO-236, BS170FTA
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MOSFETs Reihe BS.
Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): BS170FTA, SOT23, Diodes
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| Gate Charge Qg @10V (nC) | 3x10<sup>-9</sup> C | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max. Strom | 0.15 mA | |
| Montage | SMD | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 5 Ω | |
| max. Spannung | 60 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | TO-236 | |
| Verlustleistung W (DC) | 330 mW |
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Logistik
| MSL | MSL 1 |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |