2N7002W-7-F | Diodes
Diodes N-Kanal FET, 60 V, 115 mA, SOT-323, 2N7002W-7-F
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,1856 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
MOSFET, 2N7002W-7-F, Diodes
Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen macht.
Features
- Niedriger Einschaltwiderstand
- Niedrige Eingangskapazität
- Schnelle Schaltgeschwindigkeit
- Geringe Eingangs-/Ausgangsleckage
- Ultrakleines Gehäuse für Oberflächenmontage
Anwendungen
- Motorsteuerung
- Funktionen zur Energieverwaltung
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Spannung | 60 V | |
| Verlustleistung W (DC) | 200 mW | |
| Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 7.5 Ω | |
| Gehäuse | SOT-323 | |
| max. Strom | 115 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | N-Kanal |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |