MMBT5551-7-F | Diodes
Bipolartransistor, NPN, 600 mA, 160 V, SMD, SOT-23, MMBT5551-7-F
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,1309 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
NPN-Transistor, MMBT5551-7-F, DIODES
NPN-Hochspannungstransistor im SOT23-Gehäuse.
Features
- Halogen- und antimonfrei
- RoHS-konform
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 160 V | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 200 mV | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| Ausführung | NPN | |
| Transitfrequenz fTmin | 300 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.3 W | |
| Kollektorstrom | 600 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 180 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |