MMBT2222A-7-F | Diodes
Bipolartransistor, NPN, 600 mA, 40 V, SMD, SOT-23, MMBT2222A-7-F
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NPN-Transistor, MMBT2222A-7-F, DIODES
NPN-Kleinsignaltransistor im SOT23-Gehäuse.
Features
- Halogen- und antimonfrei
- RoHS-konform
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Kollektorstrom | 600 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 40 V | |
| Ausführung | NPN | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.31 W | |
| Montage | SMD | |
| Sättigungsspannung | 1 V | |
| Transitfrequenz fTmin | 300 MHz | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA | |
| Gehäuse | SOT-23 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 75 V | |
| min. Temperatur | -55 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |