FZT857TA | Diodes
Bipolartransistor, NPN, 3.5 A, 300 V, SMD, SOT-223, FZT857TA
Bestellnr.: 24S2866
EAN: 4099879029454
HTN:
FZT857TA
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NPN-Transistor, FZT857TA, DIODES
NPN-Transistor mittlerer Leistung im SOT223-Gehäuse.
Features
- Halogen- und antimonfrei
- RoHS-konform
- Qualifiziert nach AEC-Q101-Normen für hohe Zuverlässigkeit
Technische Daten
| min. Temperatur | -55 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 350 V | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 300 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 3 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Nennstrom | 3.5 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA | |
| Transitfrequenz fTmin | 80 MHz | |
| Kollektorstrom | 3.5 A | |
| Gehäuse | SOT-223 | |
| Sättigungsspannung | 345 mV | |
| Ausführung | NPN | |
| Montage | SMD |
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Logistik
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| MSL | MSL 1 |
| Ursprungsland | QU |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |