FZT653TA | Diodes
Bipolartransistor, NPN, 2 A, 100 V, SMD, SOT-223, FZT653TA
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NPN-Transistor, FZT653TA, DIODES
NPN-Hochleistungstransistor im SOT223-Gehäuse.
Features
- Halogen- und antimonfrei
- RoHS-konform
- Qualifiziert nach AEC-Q101-Normen für hohe Zuverlässigkeit
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Nennstrom | 2 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | SMD | |
| Transitfrequenz fTmin | 175 MHz | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | NPN | |
| Verlustleistung VA (AC) | 3 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Gehäuse | SOT-223 | |
| Sättigungsspannung | 500 mV | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| Kollektorstrom | 2 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 120 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
| Ursprungsland | QU |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |