IRF640-PBF | COMSET Semiconductors
COMSET Semiconductors N-Kanal Power MOS Transistor, TO-220, IRF640-PBF
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MOSFET NFET en Reihe IRF.
Technische Merkmale (Typ, Gehäuse, Hersteller): IRF640, TO220, COMSET
Technische Daten
| Ausführung | N-Kanal | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Verlustleistung VA (AC) | 125 W | |
| Montage | THT | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Gehäuse | TO-220 |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |