MJ4035 | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 16 A, 100 V, THT, TO-3, MJ4035
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NPN-Leistungstransistor, MJ4035, COMSET
Der NPN-Leistungstransistor MJ4035 auf Silizium-Epitaxie-Basis in monolithischer Darlington-Konfiguration ist im TO-3-Metallgehäuse von Jedec untergebracht. Er ist für den Einsatz als Ausgangsbauelement in komplementären Allzweckverstärkeranwendungen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
| Kollektorstrom | 16 A | |
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-3 | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 16 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 1000 mA | |
| Sättigungsspannung | 2.5 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 150 W | |
| max. Temperatur | 200 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Tray mit 50 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |