BDX53C | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 8 A, 100 V, THT, TO-220, BDX53C
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NPN-Transistor, BDX53C, COMSET
Der BDX53C ist ein NPN-Transistor auf Silizium-Epitaxie-Basis in monolithischer Darlington-Konfiguration, der in einem Jedec TO-220 Kunststoffgehäuse untergebracht ist. Er ist für den Einsatz in Audioverstärkern, linearen Anwendungen mittlerer Leistung und Schaltanwendungen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Sättigungsspannung | 2 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| Transitfrequenz fTmin | 20 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 60 W | |
| Min Gleichstromverstärkung | 750 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
| Ausführung | NPN | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 8 A | |
| Kollektorstrom | 8 A | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |