BDW83C | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 15 A, 100 V, THT, TO-3PN, BDW83C
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NPN-Leistungstransistor, BDW83C, COMSET
Dieser monolithische NPN-Leistungs-Darlington-Transistor auf Silizium-Epitaxie-Basis ist in einem Jedec TO3PN-Plastikgehäuse untergebracht. Er ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Nennstrom | 15 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| Transitfrequenz fTmin | 1 MHz | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Ausführung | NPN | |
| Verlustleistung VA (AC) | 150 W | |
| Gehäuse | TO-3PN | |
| Sättigungsspannung | 2.5 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| Kollektorstrom | 15 A | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Stange mit 30 Stück |
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |