BDW83C | COMSET Semiconductors

Name: Bipolartransistor, NPN, 15 A, 100 V, THT, TO-3PN, BDW83C
Brand: COMSET Semiconductors
SKU: 15S5366
Availability: InStock

Bipolartransistor, NPN, 15 A, 100 V, THT, TO-3PN, BDW83C

Bestellnr.: 15S5366

EAN: 4099879028556

HTN:

BDW83C

Abbildung kann abweichen

Drucken

Wichtige Spezifikationen:

Montage THT

Gehäuse TO-3PN

Ausführung NPN

Sättigungsspannung 2.5 V

Kollektorstrom 15 A

2 Varianten anzeigen

Download Datenblatt Technische Daten

Einzelpreis (€ / Stk.)

3,9865 € *

Sofort verfügbar: 219 Stk.

Gesamtpreis:

3,99 € *

Preisstaffel

Anzahl

Preis pro Einheit*

1 Stk.

3,9865 €

10 Stk.

2,8441 €

50 Stk.

2,4395 €

100 Stk.

2,1182 €

250 Stk.

1,9278 €

*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Zwischenverkauf vorbehalten

Produktbeschreibung

NPN-Leistungstransistor, BDW83C, COMSET

Dieser monolithische NPN-Leistungs-Darlington-Transistor auf Silizium-Epitaxie-Basis ist in einem Jedec TO3PN-Plastikgehäuse untergebracht. Er ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen.

Features

Einhaltung der RoHS-Richtlinien

Technische Daten

	Sättigungsspannung	2.5 V
	Montage	THT
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	100 V
	Ausführung	NPN
	Nennstrom	15 A
	min. Temperatur	-65 °C
	max. Temperatur	150 °C
	Transitfrequenz fTmin	1 MHz
	Verlustleistung VA (AC)	150 W
	Gehäuse	TO-3PN
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	100 V
	Kollektorstrom	15 A