BDV67B | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 16 A, 100 V, THT, TO-3P, BDV67B
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NPN-Leistungstransistor, BDV67B, COMSET
Dies ist ein Silizium-Epitaxie-Basistransistor im TO-3PN-Gehäuse. Er ist für Audio-Ausgangsstufen und allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Nennstrom | 16 A | |
| Montage | THT | |
| Ausführung | NPN | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 120 V | |
| Min Gleichstromverstärkung | 1000 mA | |
| Kollektorstrom | 16 A | |
| Gehäuse | TO-3P | |
| Sättigungsspannung | 2 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 200 W | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Stange mit 25 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | MY |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |