BDV67B | COMSET Semiconductors

Name: Bipolartransistor, NPN, 16 A, 100 V, THT, TO-3P, BDV67B
Brand: COMSET Semiconductors
SKU: 15S5018
Availability: OutOfStock

Bipolartransistor, NPN, 16 A, 100 V, THT, TO-3P, BDV67B

Bestellnr.: 15S5018

EAN: 4099879028532

HTN:

BDV67B

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Wichtige Spezifikationen:

Montage THT

Gehäuse TO-3P

Ausführung NPN

Sättigungsspannung 2 V

Kollektorstrom 16 A

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Produktbeschreibung

NPN-Leistungstransistor, BDV67B, COMSET

Dies ist ein Silizium-Epitaxie-Basistransistor im TO-3PN-Gehäuse. Er ist für Audio-Ausgangsstufen und allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert.

Features

Einhaltung der RoHS-Richtlinien

Technische Daten

	Ausführung	NPN
	Gehäuse	TO-3P
	max. Temperatur	150 °C
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	120 V
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	100 V
	min. Temperatur	-65 °C
	Montage	THT
	Nennstrom	16 A
	Sättigungsspannung	2 V
	Verlustleistung VA (AC)	200 W
	Kollektorstrom	16 A
	Min Gleichstromverstärkung	1000 mA