BDV67B | COMSET Semiconductors

Bipolartransistor, NPN, 16 A, 100 V, THT, TO-3P, BDV67B

Bestellnr.: 15S5018
EAN: 4099879028532
HTN:
BDV67B
BDV67B COMSET Semiconductors Bipolar Transistoren
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NPN-Leistungstransistor, BDV67B, COMSET

Dies ist ein Silizium-Epitaxie-Basistransistor im TO-3PN-Gehäuse. Er ist für Audio-Ausgangsstufen und allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert.

Features

  • Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
Ausführung NPN
max. Temperatur 150 °C
Min Gleichstromverstärkung 1000 mA
Nennstrom 16 A
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo 100 V
Verlustleistung VA (AC) 200 W
Kollektorstrom 16 A
Montage THT
Sättigungsspannung 2 V
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo 120 V
min. Temperatur -65 °C
Gehäuse TO-3P
Logistik
Zolltarifnummer 85412900
Originalverpackung Stange mit 25 Stück
Ursprungsland MY
Compliance
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15
SVHC frei Ja