BD911-T | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 15 A, 100 V, THT, TO-220, BD911-T
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NPN-Leistungstransistor, BD911-T, COMSET
Der BD911-T ist ein NPN-Leistungstransistor auf Silizium-Epitaxie-Basis in einem TO-220-Gehäuse. Er ist für den Einsatz in linearen und schaltenden Leistungsanwendungen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 100 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 15 A | |
| Sättigungsspannung | 3 V | |
| Transitfrequenz fTmin | 3 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 90 W | |
| Kollektorstrom | 15 A |
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Logistik
| Ursprungsland | IN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |