BD649-T | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 8 A, 100 V, THT, TO-220, BD649-T
Bestellnr.: 14S6050
EAN: 4099879028310
HTN:
BD649-T
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NPN-Leistungstransistor, BD649-T, COMSET
Der BD649-T ist ein NPN-Transistor mit Epitaxie-Basis in einer monolithischen Dalrington-Schaltung und einem TO-220-Gehäuse. Er ist für Ausgangsstufen in Audiogeräten, allgemeinen Verstärkern und analogen Schaltanwendungen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Frequenz | 10 MHz | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 120 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 100 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 8 A | |
| Sättigungsspannung | 2.5 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 62.5 W | |
| Kollektorstrom | 8 A |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
