BD648 | COMSET Semiconductors

Bipolartransistor, PNP, -8 A, -80 V, THT, TO-220, BD648

Bestellnr.: 14S6000
EAN: 4099879028303
HTN:
BD648
BD648 COMSET Semiconductors Bipolar Transistoren
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NPN-Leistungstransistor, BD648, COMSET

Der BD648 ist ein NPN-Transistor mit Epitaxie-Basis in einer monolithischen Dalrington-Schaltung und in einem TO-220-Gehäuse untergebracht.

Features

  • Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
Filter Merkmal Wert
min. Temperatur -65 °C
Ausführung PNP
Kollektorstrom -8 A
max. Temperatur 150 °C
Frequenz 10 MHz
Verlustleistung VA (AC) 62.5 W
Montage THT
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo -80 V
Nennstrom 8 A
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo -80 V
Gehäuse TO-220
Sättigungsspannung -2.5 V
Logistik
Merkmal Wert
Zolltarifnummer 85412900
Ursprungsland IN
Originalverpackung Stange mit 50 Stück
Compliance
Merkmal Wert
SVHC frei Ja
RoHS konform Ja
Stand der RoHS-Richtlinie 31.03.15