BD648 | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, PNP, -8 A, -80 V, THT, TO-220, BD648
Bestellnr.: 14S6000
EAN: 4099879028303
HTN:
BD648
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NPN-Leistungstransistor, BD648, COMSET
Der BD648 ist ein NPN-Transistor mit Epitaxie-Basis in einer monolithischen Dalrington-Schaltung und in einem TO-220-Gehäuse untergebracht.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Kollektorstrom | -8 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | -80 V | |
| Ausführung | PNP | |
| Nennstrom | 8 A | |
| Verlustleistung VA (AC) | 62.5 W | |
| Montage | THT | |
| Frequenz | 10 MHz | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | -80 V | |
| Sättigungsspannung | -2.5 V | |
| min. Temperatur | -65 °C |
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Logistik
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | IN |
Compliance
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |