BD645 | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, PNP, 8 A, 60 V, THT, TO-220, BD645
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NPN-Leistungstransistor, BD645, COMSET
Der BD645 ist ein NPN-Transistor mit epitaktischer Basis in einer monolithischen Dalrington-Schaltung und einem TO-220-Gehäuse. Er ist für Ausgangsstufen in Audiogeräten, allgemeinen Verstärkern und analogen Schaltanwendungen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Nennstrom | 8 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Ausführung | PNP | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Frequenz | 10 MHz | |
| Gehäuse | TO-220 | |
| Verlustleistung VA (AC) | 62.5 W | |
| Kollektorstrom | 8 A | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V | |
| Sättigungsspannung | 2.5 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | CN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |