BCY58-8-T | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 200 mA, 32 V, THT, TO-18, BCY58-8-T
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NPN-Transistor, BCY58-8-T, COMSET
Der BCY58-8-T ist ein NPN-Transistor im TO-18-Metallgehäuse, bei dem der Kollektor mit dem Gehäuse verbunden ist. Er ist für den Einsatz in Audiotreibern und rauscharmen Eingangsstufen vorgesehen.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Sättigungsspannung | 800 mV | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Gehäuse | TO-18 | |
| Transitfrequenz fTmin | 150 MHz | |
| Max Gleichstromverstärkung | 310 mA | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.39 W | |
| Min Gleichstromverstärkung | 180 mA | |
| Ausführung | NPN | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 200 mA | |
| Kollektorstrom | 200 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 32 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | CN |
| Originalverpackung | Bulk mit 1.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |