2N3019-T | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 1 A, 80 V, THT, TO-39, 2N3019-T
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NPN-Transistor, 2N3019-T, COMSET
Der NPN-Transistor 2N3019-T ist in einem TO-39-Metallgehäuse untergebracht. Er ist für Hochstrom- und Hochfrequenzverstärkeranwendungen vorgesehen.
Features
- Hohe Verstärkung und niedrige Sättigungsspannungen
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-39 | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 140 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 80 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 1 A | |
| Sättigungsspannung | 200 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.8 W | |
| Kollektorstrom | 1 A | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA |
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Logistik
| Ursprungsland | CN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
