2N2647-T | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 45 V, THT, TO-18, 2N2647-T
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Unijunction-Transistor, 2N2647-T, COMSET
Der 2N2647-T hat eine Struktur, die zu einer niedrigeren Sättigungsspannung, einem niedrigeren Spitzenstrom und einem niedrigeren Talstrom sowie zu einer viel höheren Basis-Eins-Impulsspannung führt. Sie ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen ein niedriger Emitter-Leckstrom und ein niedriger Spitzenstrom erforderlich sind, und auch für die Ansteuerung von Hochleistungs-SCRs.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-18 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 45 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 45 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 30 mA | |
| Transitfrequenz fTmin | 40 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.3 W |
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Logistik
| Ursprungsland | BY |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
