2N2646-T | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, PNP, 30 V, THT, TO-18, 2N2646-T
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Unijunction-Transistor, 2N2646-T, COMSET
Die 2N2646-T hat eine Struktur, die zu einer niedrigeren Sättigungsspannung, einem niedrigeren Spitzenstrom und einem niedrigeren Talstrom sowie zu einer viel höheren Basis-Eins-Impulsspannung führt. Sie ist für allgemeine industrielle Anwendungen vorgesehen, bei denen die Wirtschaftlichkeit der Schaltung von größter Bedeutung ist, und eignet sich ideal für den Einsatz in Zündschaltungen für siliziumgesteuerte Gleichrichter und andere Anwendungen, bei denen eine garantierte Mindestimpulsamplitude erforderlich ist.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Ausführung | PNP | |
| Gehäuse | TO-18 | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 30 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 2 A | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.3 W |
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Logistik
| Ursprungsland | BY |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
