2N2369A | COMSET Semiconductors

Name: Bipolartransistor, NPN, 200 mA, 40 V, THT, TO-18, 2N2369A
Brand: COMSET Semiconductors
SKU: 27S1350
Availability: InStock

Bipolartransistor, NPN, 200 mA, 40 V, THT, TO-18, 2N2369A

Bestellnr.: 27S1350

EAN: 4099879030177

HTN:

2N2369A

Herstellerserien: 2N

Abbildung kann abweichen

Drucken

Wichtige Spezifikationen:

Montage THT

Gehäuse TO-18

Ausführung NPN

Sättigungsspannung 360 mV

Kollektorstrom 200 mA

Varianten anzeigen: 9

Download Datenblatt Technische Daten

Einzelpreis (€ / Stk.)

0,357 € *

Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: Auf Anfrage

Gesamtpreis:

892,50 € *

*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Zwischenverkauf vorbehalten

Produktbeschreibung

NPN-Transistor, 2N2369A, COMSET

Der 2N2369A ist ein NPN-Transistor in einem TO-18-Metallgehäuse, bei dem der Kollektor mit dem Gehäuse verbunden ist. Er ist speziell für gesättigte Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen mit Stromstärken von 100 µA bis 100 mA konzipiert.

Features

Einhaltung der RoHS-Richtlinien

Technische Daten

Filter	Merkmal	Wert
	Montage	THT
	Gehäuse	TO-18
	Ausführung	NPN
	Sättigungsspannung	360 mV
	Kollektorstrom	200 mA
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	40 V
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	40 V
	Verlustleistung VA (AC)	0.36 W
	Transitfrequenz fTmin	500 MHz
	Min Gleichstromverstärkung	40 mA
	Max Gleichstromverstärkung	120 mA
	Nennstrom	200 mA
	min. Temperatur	-65 °C
	max. Temperatur	200 °C