2N2369-T | COMSET Semiconductors
Bipolartransistor, NPN, 200 mA, 40 V, THT, TO-18, 2N2369-T
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NPN-Transistor, 2N2369-T, COMSET
Der NPN-Transistor 2N2369-T ist in einem TO-18-Metallgehäuse montiert, wobei der Kollektor mit dem Gehäuse verbunden ist. Er ist speziell für gesättigte Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen mit Stromstärken von 100 µA bis 100 mA konzipiert.
Features
- Einhaltung der RoHS-Richtlinien
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-18 | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 40 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 40 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 200 mA | |
| Sättigungsspannung | 200 mV | |
| Transitfrequenz fTmin | 500 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.36 W | |
| Kollektorstrom | 200 mA | |
| Max Gleichstromverstärkung | 120 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 40 mA |
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Logistik
| Ursprungsland | US |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |