2N2369-T | COMSET Semiconductors

Name: Bipolartransistor, NPN, 200 mA, 40 V, THT, TO-18, 2N2369-T
Brand: COMSET Semiconductors
SKU: 27S1300
Availability: InStock

Bipolartransistor, NPN, 200 mA, 40 V, THT, TO-18, 2N2369-T

Bestellnr.: 27S1300

EAN: 4099879030160

HTN:

2N2369-T

Herstellerserien: 2N

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Wichtige Spezifikationen:

Montage THT

Gehäuse TO-18

Ausführung NPN

Sättigungsspannung 200 mV

Kollektorstrom 200 mA

Varianten anzeigen: 9

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Produktbeschreibung

NPN-Transistor, 2N2369-T, COMSET

Der NPN-Transistor 2N2369-T ist in einem TO-18-Metallgehäuse montiert, wobei der Kollektor mit dem Gehäuse verbunden ist. Er ist speziell für gesättigte Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen mit Stromstärken von 100 µA bis 100 mA konzipiert.

Features

Einhaltung der RoHS-Richtlinien

Technische Daten

Filter	Merkmal	Wert
	Max Gleichstromverstärkung	120 mA
	Nennstrom	200 mA
	max. Temperatur	200 °C
	Ausführung	NPN
	min. Temperatur	-65 °C
	Montage	THT
	Transitfrequenz fTmin	500 MHz
	Gehäuse	TO-18
	Verlustleistung VA (AC)	0.36 W
	Kollektorstrom	200 mA
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	40 V
	Min Gleichstromverstärkung	40 mA
	Sättigungsspannung	200 mV
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	40 V