2N2219-T | COMSET Semiconductors

Name: Bipolartransistor, NPN, 800 mA, 30 V, THT, TO-39, 2N2219-T
Brand: COMSET Semiconductors
SKU: 27S1050
Availability: InStock

Bipolartransistor, NPN, 800 mA, 30 V, THT, TO-39, 2N2219-T

Bestellnr.: 27S1050

EAN: 4099879030122

HTN:

2N2219-T

Herstellerserien: 2N

Abbildung kann abweichen

Drucken

Wichtige Spezifikationen:

Montage THT

Gehäuse TO-39

Ausführung NPN

Sättigungsspannung 400 mV

Kollektorstrom 800 mA

Varianten anzeigen: 9

Download Datenblatt Technische Daten

Einzelpreis (€ / Stk.)

0,7497 € *

Sofort verfügbar: 10 Stk.

Gesamtpreis:

7,50 € *

Preisstaffel

Anzahl

Preis pro Einheit*

10 Stk.

0,7497 €

50 Stk.

0,6664 €

*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Zwischenverkauf vorbehalten

Produktbeschreibung

NPN-Schalttransistor, 2N2219-T, COMSET

Der 2N2219-T ist ein NPN-Transistor im TO-39-Metallgehäuse. Er wurde für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen entwickelt und zeichnet sich durch eine nützliche Stromverstärkung über einen weiten Bereich des Kollektorstroms, geringe Leckströme und niedrige Sättigungsspannungen aus.

Features

Einhaltung der RoHS-Richtlinien

Technische Daten

Filter	Merkmal	Wert
	min. Temperatur	-65 °C
	Kollektorstrom	800 mA
	max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo	30 V
	Min Gleichstromverstärkung	100 mA
	max. Temperatur	200 °C
	Montage	THT
	Ausführung	NPN
	Verlustleistung VA (AC)	0.8 W
	Gehäuse	TO-39
	max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo	60 V
	Transitfrequenz fTmin	250 MHz
	Sättigungsspannung	400 mV
	Max Gleichstromverstärkung	300 mA
	Nennstrom	800 mA