MJE350 | CDIL
Bipolartransistor, PNP, -500 mA, 300 V, THT, TO-126, MJE350
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,2380 € *
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Leistungstransistor, MJE350, CDIL
Dieser Leistungstransistor aus epitaktischem Silizium eignet sich für den Einsatz in allgemeinen Hochspannungsanwendungen.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Ausführung | PNP | |
| Kollektorstrom | -500 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Transitfrequenz fTmin | 4 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1.25 W | |
| Montage | THT | |
| Max Gleichstromverstärkung | 240 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 300 V | |
| Nennstrom | 500 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 30 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 300 V | |
| Gehäuse | TO-126 |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | IN |
| Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |