BD677A | CDIL
Bipolartransistor, NPN, 4 A, 60 V, THT, TO-126, BD677A
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NPN-Transistor, BD677A, CDIL
Dieser NPN-Epitaxie-Silizium-Leistungstransistor wird zum Schalten hoher Leistungen verwendet.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V | |
| Sättigungsspannung | 2.8 V | |
| Ausführung | NPN | |
| Verlustleistung VA (AC) | 40 W | |
| Montage | THT | |
| Min Gleichstromverstärkung | 750 mA | |
| Kollektorstrom | 4 A | |
| Gehäuse | TO-126 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V | |
| Transitfrequenz fTmin | 1 MHz | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Nennstrom | 4 A |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | IN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |