BD439 | CDIL
Bipolartransistor, NPN, 4 A, 60 V, THT, TO-126, BD439
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NPN-Transistor, BD439, CDIL
Diese NPN-Epitaxie-Silizium-Leistungstransistoren sind für den Einsatz in linearen und schaltenden Anwendungen mittlerer Leistung vorgesehen.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Transitfrequenz fTmin | 3 MHz | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V | |
| Kollektorstrom | 4 A | |
| Ausführung | NPN | |
| Gehäuse | TO-126 | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V | |
| Montage | THT | |
| Nennstrom | 4 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 20 mA | |
| Sättigungsspannung | 1.4 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 36 W | |
| max. Temperatur | 150 °C |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | MY |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 500 Stück |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |