BD135-6 | CDIL
Bipolartransistor, NPN, 1.5 A, 45 V, THT, TO-126, BD135-6
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NPN-Transistor, BD135-6, CDIL
Der BD135-6 NPN-Epitaxie-Silizium-Leistungstransistor ist für den Einsatz als Audioverstärker und -treiber konzipiert.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 45 V | |
| Max Gleichstromverstärkung | 100 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 40 mA | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | 500 mV | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Gehäuse | TO-126 | |
| Ausführung | NPN | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 1.25 W | |
| Kollektorstrom | 1.5 A | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 45 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | IN |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |