BCY58IX | CDIL
Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 32 V, THT, TO-18, BCY58IX
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NPN-Transistor, BCY58IX, CDIL
Dieser NPN-Silizium-Planartransistor ist für rauscharme Audioverstärkereingangsstufen und Treiberanwendungen konzipiert.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Nennstrom | 200 mA | |
| max. Temperatur | 200 °C | |
| Montage | THT | |
| Transitfrequenz fTmin | 150 MHz | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Ausführung | NPN | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.39 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 350 mA | |
| Gehäuse | TO-18 | |
| Sättigungsspannung | 250 mV | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 32 V | |
| Kollektorstrom | 100 mA | |
| Min Gleichstromverstärkung | 250 mA |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Originalverpackung | Bulk mit 1.000 Stück |
| Ursprungsland | IN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |