BC637 | CDIL
Bipolartransistor, NPN, 1 A, 60 V, THT, TO-92, BC637
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NPN-Transistor, BC637, CDIL
Der NPN-Silizium-Planar-Epitaxie-Transistor BC637 ist für den Einsatz als Hochstromtransistor konzipiert.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Nennstrom | 1 A | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT | |
| Transitfrequenz fTmin | 200 MHz | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Ausführung | NPN | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.8 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 250 mA | |
| Gehäuse | TO-92 | |
| Sättigungsspannung | 500 mV | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V | |
| Kollektorstrom | 1 A | |
| Min Gleichstromverstärkung | 40 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 60 V |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | IN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| SVHC frei | Ja |
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |