BC556B | CDIL
Bipolartransistor, PNP, 100 mA, 65 V, THT, TO-92, BC556B
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PNP-Transistor, BC556B, CDIL
Der PNP-Silizium-Epitaxie-Planartransistor BC556B ist für Schalt- und NF-Verstärkeranwendungen geeignet.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Sättigungsspannung | 650 mV | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.5 W | |
| Min Gleichstromverstärkung | 200 mA | |
| Montage | THT | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 80 V | |
| Gehäuse | TO-92 | |
| Ausführung | PNP | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 65 V | |
| Max Gleichstromverstärkung | 450 mA | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Kollektorstrom | 100 mA | |
| Nennstrom | 100 mA |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | IN |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |