BC550B | CDIL
Bipolartransistor, NPN, 100 mA, 45 V, THT, TO-92, BC550B
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NPN-Transistor, BC550B, CDIL
Der NPN-Silizium-Epitaxie-Planartransistor BC550B ist für Schalt- und NF-Verstärkeranwendungen geeignet.
Technische Daten
| Filter | Merkmal | Wert |
|---|---|---|
| Verlustleistung VA (AC) | 0.5 W | |
| Kollektorstrom | 100 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 45 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Nennstrom | 100 mA | |
| Gehäuse | TO-92 | |
| Ausführung | NPN | |
| Sättigungsspannung | 250 mV | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Montage | THT |
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Logistik
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| Ursprungsland | ID |
| Originalverpackung | Bulk mit 1.000 Stück |
| Zolltarifnummer | 85412900 |
Compliance
| Merkmal | Wert |
|---|---|
| RoHS konform | Ja |
| SVHC frei | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |