BC337-25 | CDIL
Bipolartransistor, NPN, 800 mA, 60 V, THT, TO-92, BC337-25
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NPN-Transistor, BC337-25, CDIL
Dieser planare Silizium-Epitaxietransistor eignet sich am besten für den Einsatz in Treiber- und Ausgangsstufen von Audioverstärkern.
Technische Daten
| Ausführung | NPN | |
| Transitfrequenz fTmin | 200 MHz | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA | |
| Nennstrom | 800 mA | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 60 V | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.625 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 400 mA | |
| Kollektorstrom | 800 mA | |
| Montage | THT | |
| Sättigungsspannung | 700 mV | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Gehäuse | TO-92 |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Ursprungsland | IN |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |