2N3704 | CDIL
Bipolartransistor, NPN, 600 mA, 30 V, THT, TO-92, 2N3704
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NPN-Transistor, 2N3704, CDIL
Dieser NPN-Silizium-Planar-Epitaxie-Transistor wird am besten als Verstärker verwendet.
Technische Daten
| Sättigungsspannung | 600 mV | |
| Montage | THT | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 30 V | |
| Ausführung | NPN | |
| Nennstrom | 800 mA | |
| min. Temperatur | -55 °C | |
| Min Gleichstromverstärkung | 100 mA | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| Transitfrequenz fTmin | 100 MHz | |
| Verlustleistung VA (AC) | 0.625 W | |
| Max Gleichstromverstärkung | 300 mA | |
| Gehäuse | TO-92 | |
| max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 50 V | |
| Kollektorstrom | 600 mA |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85412900 |
| Originalverpackung | Bulk mit 1.000 Stück |
| Ursprungsland | IN |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
| SVHC frei | Ja |