PTVS2-058C-H | Bourns Electronics GmbH
SMD TVS Diode, Bidirektional, 67 V, DFN, Bourns Electronics GmbH PTVS2-058C-H
Einzelpreis (€ / Stk.)
6,4617 € *
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 18 Wochen
Hochstrom-TVS-Diode, PTVS2-058C-H, Bourns Electronics GmbH
Die Hochstrom-TVS-Diode ist für den Einsatz in Hochleistungs-Zwischenkreisklemmanwendungen konzipiert.
Features
- Bidirektionales TVS
- Niedrige Klemmspannung bei Überspannung
- Hervorragende Leistung bei verschiedenen Temperaturen
Anwendungen
- Schutz vor Blitzeinschlägen, induktiven und transienten Überspannungen bis zu den Nennwerten
- Freiliegende PoE-Anschlüsse
- Kleinzelle, Remote Radio Units (RRUs) und Baseband Units (BBUs)
- Schutz des DC-Busses mit hoher Leistung
Technische Daten
Ausführung | Bidirektional | |
Anzahl der Dioden | 1 | |
Kapazität | 1.5 nF | |
Gehäuse | DFN | |
min. Temperatur | -55 °C | |
max. Temperatur | 125 °C | |
Sperrspannung | 67 V | |
Durchbruchspannung | 70 V | |
Montage | SMD |
Download
Logistik
MSL | MSL 1 |
Zolltarifnummer | 85411000 |
Ursprungsland | PH |
Compliance
SVHC frei | Nein |
Substanz Beschreibung | Blei |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
RoHS konform | Ja |