Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
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Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 30 A, TO-220, IRLZ34NPBF
Bestellnr.:
 24S3372
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRLZ34NPBF
Sofort verfügbar: 749 Stk. Ab Hersteller: 46 Wochen **
Gesamtpreis: 0,77 € *
1 Stk.
0,7735 €
25 Stk.
0,6307 €
100 Stk.
0,5236 €
250 Stk.
0,4522 €
1000 Stk.
0,3927 €
N-Kanal
55 V
30 A
35 mΩ
TO-220
56 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 89 A, TO-220, IRL3705NPBF
Bestellnr.:
 24S3375
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRL3705NPBF
Sofort verfügbar: 389 Stk. Verfügbar in 5 Tagen: 1.550 Stk. Ab Hersteller: 10 Wochen **
Gesamtpreis: 1,59 € *
1 Stk.
1,5946 €
50 Stk.
1,3566 €
100 Stk.
1,3090 €
200 Stk.
1,2495 €
N-Kanal
55 V
89 A
10 mΩ
TO-220
170 W
THT
-55 °C
150 °C