Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung VA (AC)
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
342 Artikel in 369 Varianten
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Artikelbeschreibung
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Preisstaffel
Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung VA (AC)
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
Vishay N-Kanal TrenchFET Power MOSFET, 80 V, 60 A, SOIC-8, SIR826ADP-T1-GE3
Bestellnr.:
 24S8210
Hersteller:
 Vishay
Hersteller-Nr.:
 SIR826ADP-T1-GE3
Lagerbestand: 0 Stk. Ab Hersteller: Auf Anfrage ** Nächste Lieferung: 3.000 Stk. bestätigt für 21.06.2024
Gesamtpreis: 2,28 € *
1 Stk.
2,2848 €
25 Stk.
1,9516 €
100 Stk.
1,7850 €
250 Stk.
1,7017 €
1000 Stk.
1,5589 €
N-Kanal
80 V
60 A
5.5 mΩ
SOIC-8
104 W
SMD
-55 °C
150 °C
International Power Semiconductor N-Kanal Power MOSFET, TO-220, BUZ74A-T
Bestellnr.:
 19S6789
Hersteller:
 International Power Semiconductor
Hersteller-Nr.:
 BUZ74A-T
Sofort verfügbar: 3 Stk. Ab Hersteller: 14 Wochen **
Gesamtpreis: 2,86 € *
1 Stk.
2,8560 €
10 Stk.
2,5109 €
100 Stk.
2,2134 €
250 Stk.
2,1301 €
1000 Stk.
1,9873 €
N-Kanal
TO-220
40 W
THT
-55 °C
150 °C