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MOSFETs

Ausführung
max. Spannung
Einheit:
max. Strom
Einheit:
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einheit:
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Einheit:
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Einheit:
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
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104 Artikel in 110 Varianten
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Artikelbeschreibung
Gesamt
Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 40 V, 195 A, D2PAK, IRFS7437TRLPBF
Hersteller-Nr.:
 IRFS7437TRLPBF
800 Stk. 1,4042 €
1,4042 €
0 Stk.
1,40 € *
N-Kanal
40 V
195 A
1.8 mΩ
D2PAK
230 W
SMD
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 40 V, 362 A, D2PAK-7L, IRFS7434TRL7PP
Hersteller-Nr.:
 IRFS7434TRL7PP
0 Stk. 0,00 €
0,00 €
0 Stk.
0,00 € *
N-Kanal
40 V
362 A
1 mΩ
D2PAK-7L
245 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, DPAK, IPD50N06S4-09
Hersteller-Nr.:
 IPD50N06S4-09
0 Stk. 0,00 €
0,00 €
0 Stk.
0,00 € *
N-Kanal
9 mΩ
DPAK
SMD
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOST2 Power Transistor, DPAK, IPD100N04S4-02
Hersteller-Nr.:
 IPD100N04S4-02
0 Stk. 0,00 €
0,00 €
0 Stk.
0,00 € *
N-Kanal
2 mΩ
DPAK
SMD
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal DirectFET Power MOSFET, 40 V, 375 A, DirectFET-L8, IRL7472L1TRPBF
Hersteller-Nr.:
 IRL7472L1TRPBF
4000 Stk. 2,5228 €
2,5228 €
0 Stk.
2,52 € *
N-Kanal
40 V
375 A
0.45 mΩ
DirectFET-L8
341 W
SMD
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS5 Power Transistor, 100 V, 300 A, HSOF, IPT015N10N5ATMA1
Hersteller-Nr.:
 IPT015N10N5ATMA1
2000 Stk. 4,8433 €
4,8433 €
0 Stk.
4,84 € *
N-Kanal
100 V
300 A
2 mΩ
HSOF
375 W
SMD
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOSP2 Power Transistor, 30 V, 300 A, HSOF, IPT004N03LATMA1
Hersteller-Nr.:
 IPT004N03LATMA1
2000 Stk. 2,9393 €
2,9393 €
0 Stk.
2,94 € *
N-Kanal
30 V
300 A
0.5 mΩ
0.4 Ω
HSOF
300 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 17 A, I-PAK, IRLU024NPBF
Hersteller-Nr.:
 IRLU024NPBF
75 Stk. 0,6664 €
300 Stk. 0,5831 €
750 Stk. 0,5355 €
1500 Stk. 0,4998 €
3000 Stk. 0,4641 €
0,6664 € - 0,4641 €
325 Stk.
2.505 Stk.
49,98 € *
N-Kanal
55 V
17 A
110 mΩ
65 mΩ
I-PAK
45 W
THT
-55 °C
175 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS 3 M-Serie Power MOSFET, 30 V, 12.1 A, PG-DSO-8, BSO110N03MSGXUMA1
Hersteller-Nr.:
 BSO110N03MSGXUMA1
10 Stk. 0,7140 €
50 Stk. 0,6307 €
250 Stk. 0,5474 €
1000 Stk. 0,4998 €
2500 Stk. 0,4522 €
0,7140 € - 0,4522 €
0 Stk.
0,71 € *
N-Kanal
30 V
12.1 A
11 mΩ
PG-DSO-8
2.5 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS2 Small-Signal Transistor, 20 V, 3.8 A, PG-SC59-3, BSR202NL6327HTSA1
Hersteller-Nr.:
 BSR202NL6327HTSA1
3000 Stk. 0,2463 €
0,2463 €
0 Stk.
0,25 € *
N-Kanal
20 V
3.8 A
21 mΩ
PG-SC59-3
0.5 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 240 V, 350 mA, PG-SOT223, BSP88H6327XTSA1
Hersteller-Nr.:
 BSP88H6327XTSA1
1 Stk. 0,6426 €
25 Stk. 0,5117 €
100 Stk. 0,4403 €
250 Stk. 0,3808 €
1000 Stk. 0,3332 €
0,6426 € - 0,3332 €
6.130 Stk.
0,64 € *
N-Kanal
240 V
350 mA
7.5 Ω
6 Ω
PG-SOT223
1.8 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies P-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, -60 V, -2.9 A, PG-SOT223, BSP613PH6327XTSA1
Hersteller-Nr.:
 BSP613PH6327XTSA1
1 Stk. 2,8203 €
10 Stk. 1,7612 €
50 Stk. 1,5470 €
250 Stk. 1,3447 €
1000 Stk. 1,1781 €
2,8203 € - 1,1781 €
3.542 Stk.
2,82 € *
P-Kanal
-60 V
-2.9 A
130 mΩ
PG-SOT223
1.8 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies P-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, 20 V, -0.98 A, PG-SOT223-4, BSP321PH6327XTSA1
Hersteller-Nr.:
 BSP321PH6327XTSA1
5 Stk. 0,7973 €
25 Stk. 0,6783 €
125 Stk. 0,5831 €
500 Stk. 0,5236 €
1000 Stk. 0,4760 €
0,7973 € - 0,4760 €
0 Stk.
0,80 € *
P-Kanal
20 V
-0.98 A
900 mΩ
PG-SOT223-4
1.8 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies P-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, -100 V, -1 A, PG-SOT223-4, BSP322PH6327XTSA1
Hersteller-Nr.:
 BSP322PH6327XTSA1
5 Stk. 0,8211 €
25 Stk. 0,7021 €
125 Stk. 0,6188 €
500 Stk. 0,5355 €
1000 Stk. 0,4879 €
0,8211 € - 0,4879 €
0 Stk.
0,82 € *
P-Kanal
-100 V
-1 A
800 mΩ
PG-SOT223-4
1.8 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS2 Small-Signal Transistor, 20 V, 2.3 A, PG-SOT23-3, BSS806NEH6327XTSA1
Hersteller-Nr.:
 BSS806NEH6327XTSA1
3000 Stk. 0,1440 €
0,1440 €
0 Stk.
0,14 € *
N-Kanal
20 V
2.3 A
550 mΩ
PG-SOT23-3
0.5 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS2 Small-Signal Transistor, 20 V, 2.3 A, PG-SOT23-3-5, BSS806NH6327XTSA1
Hersteller-Nr.:
 BSS806NH6327XTSA1
3000 Stk. 0,1392 €
0,1392 €
0 Stk.
0,14 € *
N-Kanal
20 V
2.3 A
57 mΩ
PG-SOT23-3-5
0.5 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies P-Kanal SIPMOS Small-Signal Transistor, -60 V, -0.15 A, PG-SOT323-3, BSS84PWH6327XTSA1
Hersteller-Nr.:
 BSS84PWH6327XTSA1
1 Stk. 0,0607 €
100 Stk. 0,0547 €
0,0607 € - 0,0547 €
0 Stk.
15.600 Stk.
0,06 € *
P-Kanal
-60 V
-0.15 A
8 Ω
PG-SOT323-3
0.3 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies P-Kanal OptiMOS-P Small-Signal Transistor, -20 V, -0.63 A, PG-SOT323-3, BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller-Nr.:
 BSS209PWH6327XTSA1
3000 Stk. 0,1047 €
0,1047 €
0 Stk.
0,10 € *
P-Kanal
-20 V
-0.63 A
550 mΩ
PG-SOT323-3
0.3 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies N-Kanal OptiMOS2 Small-Signal Transistor, 20 V, 1.5 A, PG-SOT323-3, BSS214NWH6327XTSA1
Hersteller-Nr.:
 BSS214NWH6327XTSA1
3000 Stk. 0,1202 €
0,1202 €
0 Stk.
0,12 € *
N-Kanal
20 V
1.5 A
140 mΩ
PG-SOT323-3
0.5 W
SMD
-55 °C
150 °C
Infineon Technologies P-Kanal OptiMOS-P Small-Signal Transistor, -20 V, -0.39 A, PG-SOT323-3, BSS223PWH6327XTSA1
Hersteller-Nr.:
 BSS223PWH6327XTSA1
3000 Stk. 0,0964 €
0,0964 €
0 Stk.
0,10 € *
P-Kanal
-20 V
-0.39 A
1.2 Ω
PG-SOT323-3
0.25 W
SMD
-55 °C
150 °C
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