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MOSFETs

683 Artikel in 803 Varianten
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Artikelbeschreibung
Gesamt
Preisstaffel
Ausführung
max. Spannung
max. Strom
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=4,5V
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V
Gehäuse
Verlustleistung VA (AC)
Verlustleistung W (DC)
Montage
min. Temperatur
max. Temperatur
IRF9520PBF Vishay MOSFETs
Vishay P-Kanal Power MOSFET, -100 V, -6.8 A, TO-220, IRF9520PBF
Bestellnr.:
 24S3306
Hersteller:
 Vishay
Hersteller-Nr.:
 IRF9520PBF
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 50 Wochen
Gesamtpreis: 13,98 € *
25 Stk.
0,5593 €
P-Kanal
-100 V
-6.8 A
600 mΩ
TO-220
60 W
THT
-55 °C
175 °C
IRFZ24NPBF Infineon Technologies MOSFETs
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 17 A, TO-220, IRFZ24NPBF
Bestellnr.:
 24S3337
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFZ24NPBF
Verfügbar in 5 Tagen: 1.430 Stk. - bei Bestellung heute
Gesamtpreis: 4,40 € *
10 Stk.
0,4403 €
50 Stk.
0,4046 €
100 Stk.
0,3927 €
250 Stk.
0,3570 €
N-Kanal
55 V
17 A
70 mΩ
TO-220
45 W
THT
-55 °C
175 °C
IRFZ34N Infineon Technologies MOSFETs
NFET Si 55V 29A 40mOhm TO220AB-3 IRFZ34NPBF
Bestellnr.:
 24S3339
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFZ34N
Verfügbar in 5 Tagen: 910 Stk. - bei Bestellung heute
Gesamtpreis: 2,92 € *
10 Stk.
0,2916 €
N-Kanal
40 mΩ
TO-220
56 W
THT
-55 °C
175 °C
IRFZ44N-PBF Infineon Technologies MOSFETs
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 49 A, TO-220, IRFZ44N-PBF
Bestellnr.:
 24S3341
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFZ44N-PBF
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 1 Woche
Gesamtpreis: 0,49 € *
1 Stk.
0,4879 €
25 Stk.
0,4641 €
50 Stk.
0,4522 €
100 Stk.
0,4284 €
250 Stk.
0,3927 €
N-Kanal
55 V
49 A
17.5 mΩ
TO-220
94 W
THT
-55 °C
175 °C
IRFZ46NPBF Infineon Technologies MOSFETs
INFINEON THT MOSFET NFET 55V 53A 16,5mΩ 175°C TO-220 IRFZ46N
Bestellnr.:
 24S3343
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRFZ46NPBF
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 18 Wochen
Gesamtpreis: 0,52 € *
1 Stk.
0,5236 €
25 Stk.
0,4998 €
50 Stk.
0,4879 €
100 Stk.
0,4522 €
250 Stk.
0,4165 €
IRLZ14PBF Vishay MOSFETs
Vishay N-Kanal Power MOSFET, 60 V, 10 A, TO-220, IRLZ14PBF
Bestellnr.:
 24S3371
Hersteller:
 Vishay
Hersteller-Nr.:
 IRLZ14PBF
Verfügbar in 5 Tagen: 650 Stk. - bei Bestellung heute
Gesamtpreis: 12,50 € *
25 Stk.
0,4998 €
N-Kanal
60 V
10 A
200 mΩ
TO-220
43 W
THT
-55 °C
175 °C
IRL3705NPBF Infineon Technologies MOSFETs
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 55 V, 89 A, TO-220, IRL3705NPBF
Bestellnr.:
 24S3375
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 IRL3705NPBF
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 3 Wochen
Gesamtpreis: 1,27 € *
1 Stk.
1,2733 €
10 Stk.
1,1781 €
50 Stk.
1,1186 €
100 Stk.
1,0472 €
250 Stk.
0,9282 €
N-Kanal
55 V
89 A
10 mΩ
TO-220
170 W
THT
-55 °C
150 °C
SPW17N80C3 Infineon Technologies MOSFETs
Infineon Technologies N-Kanal CoolMOS Power Transistor, 800 V, 17 A, TO-247, SPW17N80C3
Bestellnr.:
 24S6264
Hersteller:
 Infineon Technologies
Hersteller-Nr.:
 SPW17N80C3
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: 22 Wochen
Gesamtpreis: 7,91 € *
1 Stk.
7,9135 €
30 Stk.
6,9615 €
120 Stk.
6,5688 €
270 Stk.
6,3427 €
1020 Stk.
5,9857 €
N-Kanal
800 V
17 A
290 mΩ
TO-247
227 W
THT
-55 °C
150 °C
STE53NC50 STMicroelectronics MOSFETs
STMicroelectronics N-Kanal ISOTOP Power MeshII MOSFET, 500 V, 53 A, ISOTOP, STE53NC50
Bestellnr.:
 24S7286
Hersteller:
 STMicroelectronics
Hersteller-Nr.:
 STE53NC50
Standardlieferzeit ab Hersteller beträgt: Auf Anfrage
Gesamtpreis: 29,06 € *
1 Stk.
29,0598 €
10 Stk.
28,4291 €
25 Stk.
27,3938 €
100 Stk.
26,3585 €
250 Stk.
24,9067 €
N-Kanal
500 V
53 A
80 mΩ
ISOTOP
460 W
SMD
-65 °C
150 °C
1 ...
23
24
25
... 41
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Zwischenverkauf vorbehalten
Abbildungen können abweichen

Hochwertige MOSFETs

MOSFETs (kurz für: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sind Leistungshalbleiter, die zur Steuerung von elektrischen Strömen in Schaltungen verwendet werden. Sie arbeiten als Schalter oder Verstärker, indem sie den Stromfluss zwischen Drain und Source durch eine Spannung am Gate steuern. Aufgrund ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und des geringen Widerstands im eingeschalteten Zustand werden MOSFETs häufig in Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen, LED-Treibern und Automobilanwendungen eingesetzt. Ein weiterer Vorteil ist ihr niedriger Energieverbrauch.

MOSFETs in vielen Ausführungen bei Bürklin

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