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TVS-DIODE PTVS10VP1UP,115

  • Impuls-Verlustleistung: 600 W
  • Nenn-Sperrspannung: 10 V
  • Gehäuse: SOD128
 

Bestell-Nr. 26 S 100

Herstellername

NXP

Hersteller-Nr.

PTVS10VP1UP,115

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Technische Merkmale

600 W
10 V
SOD128
SMD
11,1 V
12,3 V
-55 °C
150 °C
AEC-Q101 qualifiziert

Herstellerinformationen

Herstellername NXP
Herstellerartikelnummer PTVS10VP1UP,115
Zolltarifnummer 85411000
Die oben dargestellte Abbildung kann abweichen
AEC-Q101 qualifiziert, Ausführung: unidirektional, Bauform: SMD, Impuls-Spitzenverlustleistung: 600 W, Nennspannung: 10 V, Durchbruchsspannung (min.): 11,1 V, Durchbruchsspannung (max.): 12,3 V, Umgebungstemperatur (min.): -55 °C, Umgebungstemperatur (max.): 150 °C, Gehäuse: SOD128, Typ: PTVS10VP1UP,115, Hersteller: NXP
  • Konformitäten

    RoHS konform (08.06.2011)
    REACH nicht relevant
    PAK keine Angaben
    PFOS keine Angaben
    SVHC frei (Datum nicht verfügbar)
Weitere Ausführungen