SIHP17N60D-GE3 | Vishay
Vishay N-Kanal Power MOSFET, 600 V, 17 A, TO-220, SIHP17N60D-GE3
Einzelpreis (€ / Stk.)
0,2642 € *
Lagerbestand: 0 Stk.
Lieferzeit ab Hersteller: 17 Wochen **
Gesamtpreis:
0,26 € *
*inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
**Zwischenverkauf vorbehalten
1000 Stk.
0,2642 €
N-Channel MOSFETs Typ Vishay Siliconix Si.
Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Widerstand (RDSON), Strom ID (TC = 25°C), Gate-Ladung Qg, Gehäuse): SiHP17N60D, 650 V, 340 mOhm, 17 A, 90 nC, TO220AB
Technische Daten
Ausführung | N-Kanal | |
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V | 340 mΩ | |
Gate Charge Qg @10V (nC) | 9x10<sup>-8</sup> C | |
Gehäuse | TO-220 | |
max. Spannung | 600 V | |
max. Strom | 17 A | |
max. Temperatur | 150 °C | |
min. Temperatur | -55 °C | |
Montage | THT | |
Verlustleistung W (DC) | 277.8 W |
Download
Logistik
Ursprungsland | TW |
Zolltarifnummer | 85412900 |
MSL | MSL 1 |
Originalverpackung | Stange mit 50 Stück |
Compliance
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |