BCP68T1G | onsemi
Bipolartransistor, NPN, 1 A, 25 V, SMD, SOT-23, BCP68T1G
NPN-Transistor, BCP68T1G, onsemi
Dieser NPN-Silizium-Epitaxie-Transistor ist für den Einsatz in Niederspannungs- und Hochstromanwendungen vorgesehen. Der Baustein ist im SOT-223-Gehäuse untergebracht, das für oberflächenmontierte Anwendungen mit mittlerer Leistung ausgelegt ist.
Features
- Halogenfrei
- RoHS-konform
Ausführung | NPN | |
Gehäuse | SOT-23 | |
max. Temperatur | 150 °C | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Basis Vcbo | 20 V | |
max.Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vceo | 25 V | |
min. Temperatur | -65 °C | |
Montage | SMD | |
Sättigungsspannung | 500 mV | |
Transitfrequenz fTmin | 60 MHz | |
Verlustleistung VA (AC) | 1.5 W | |
Kollektorstrom | 1 A | |
Max Gleichstromverstärkung | 375 mA | |
Min Gleichstromverstärkung | 85 mA |
Zolltarifnummer | 85412900 |
Originalverpackung | Rolle mit 1.000 Stück |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
SVHC frei | Ja |