BZT52H-C12,115 | NEXPERIA
Zener-Diode, 12.2 V, 830 mW, SOD-123F, BZT52H-C12,115
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Zener-Dioden 375 mW Typ NXP BZT52H...C.
Mit niedrigem Differential-Widerstand, AEC-Q101 qualifiziert; Verlustleistung:; 375 mW, Gehäuse: SOD123F, Umgebungstemperatur: - 65 bis +150 °C.
Technische Merkmale (Typ, Zenerspannung, Betriebsspannungsbereich,): BZT52H-C12, 12 V, 11,4 bis 12,7 V
Technische Daten
| Anzahl der Dioden | 1 | |
| Ausführung | Zener-Diode | |
| Durchlassspannung | 0.9 V | |
| Durchlassstrom | 25 mA | |
| Gehäuse | SOD-123F | |
| Länge | 2.7 mm | |
| max. Temperatur | 150 °C | |
| min. Temperatur | -65 °C | |
| Montage | SMD | |
| Sperrschichttemperatur (max.) | 150 °C | |
| Verlustleistung W (DC) | 830 mW | |
| Zenerspannung | 12.2 V |
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Logistik
| Zolltarifnummer | 85411000 |
| Originalverpackung | Rolle mit 3.000 Stück |
Compliance
| RoHS konform | Ja |
| Stand der RoHS-Richtlinie | 08.06.11 |
| SVHC frei | Ja |
