MDD56-08N1B | Littelfuse
Diode, MDD56-08N1B
Diode, MDD56-08N1B, LITTELFUSE
Ein Phasenzweig mit einer Isolationsspannung von 4800 V, fortschrittlichem Leistungszyklus, sehr geringem Durchlassspannungsabfall, sehr geringem Leckstrom und DCB-Keramik-Grundplatte.
Features
- Gehäuse mit DCB-Keramik
- Verbesserte Temperatur- und Leistungszyklen
- Planarer passivierter Chip
- Umriss des Industriestandards
- RoHS-konform
- Geringes Gewicht
Anwendungen
- Diode für die Hauptgleichrichtung
- Für ein- und dreiphasige Brückenkonfigurationen
- Stromversorgungen für Gleichstromgeräte
- Eingangsgleichrichter für PWM-Wechselrichter
- Batterie-DC-Stromversorgungen
- Feldversorgung für DC-Motoren
Anzahl der Dioden | 2 | |
Ausführung | dual | |
Gehäuse | TO-240AA | |
max. Temperatur | 125 °C | |
min. Temperatur | -40 °C | |
Montage | Schraubmontage | |
Sperrspannung | 800 V |
Ursprungsland | PH |
Zolltarifnummer | 85411000 |
RoHS konform | Ja |
Stand der RoHS-Richtlinie | 31.03.15 |
SVHC frei | Ja |